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N沟道增强型MOSFET TDM3512

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  • 面议

    ≥3000个

  • 发货地广东 深圳市
  • 发货期限3天内发货
  • 供货总量1000000 个
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  • 身份验证|
       
  • 注册资本|500万人民币
  • 企业类型|个体经营
  • 主营产品|主要从事电源管理IC、音频IC、收音IC、功放IC、MOS管等
  • 公司地区|广东/深圳市
  • 公司荣誉|
供应产品分类
  • 暂无分类
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品牌TD 有效期至长期有效 最后更新2018-12-18 12:06
TDM3512DNF5*6-8
浏览次数27
本文标题N沟道增强型MOSFET TDM3512
N沟道增强型MOSFET TDM3512
描述
该TDM3512采用先进的沟槽技术
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个
装置是适合用作负载开关或在PWM
应用。
一般特征
RDS(ON)<3.6mΩ@ VGS = 1.8V
RDS(ON)<2.5mΩ@ VGS =2.5V
RDS(ON)<2MΩ@ VGS= 4.5V
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
动力系统

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